Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors - Farzan Jazaeri, Jean-Michel Sallese

Această lucrare reprezintă o introducere cuprinzătoare în modelarea și proiectarea tranzistorilor cu efect de câmp (FET) fără joncțiune, concentrându-se pe configurațiile de tip nanowire și double-gate. Autorii analizează avantajele și limitările acestei tehnologii, oferind o trecere în revistă a modelelor analitice publicate și prezentând modelul bazat pe sarcină dezvoltat la EPFL. Cartea explorează aspecte tehnice esențiale, precum efectele de canal scurt, transcapacitanțele, zgomotul termic și capcanele de interfață. De asemenea, sunt discutate aplicații relevante pentru biosenzori, transformând volumul într-o resursă academică valoroasă pentru studenți și cercetători interesați de acest domeniu în rapidă dezvoltare.